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IMBD4448-HE3-18

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Numero di parte IMBD4448-HE3-18
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Scheda dati

IMBD4448-HE3-18 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche IMBD4448-HE3-18

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)75V
Corrente - Rettificato medio (Io)150mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1V @ 10mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2.5µA @ 70V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Temperatura operativa - Giunzione150°C (Max)

Scheda tecnica IMBD4448-HE3-18

IMBD4448-HE3-18 Packaging

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IMBD4448-HE3-18 FAQ

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  • 3. Are the IMBD4448-HE3-18 price and inventory displayed accurate?
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Vishay Intertechnologies

Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: IMBD4448-HE3-18)

0
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Vishay Semiconductors

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

0
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D# IMBD4448-HE3-18-ND

Vishay Semiconductors

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

0
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D# 09X4355

Vishay Intertechnologies

SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-HE3

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 10000
Container: TAPE & REEL - FULL
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