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HUFA76639S3ST

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Numero di parte HUFA76639S3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Scheda dati

HUFA76639S3ST Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche HUFA76639S3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C51A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 51A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica HUFA76639S3ST

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that HUFA76639S3ST is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

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