| Numero di parte | HUFA76629D3ST |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.184 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | UltraFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1285pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HUFA76629D3ST |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HUFA76629D3ST D# HUFA76629D3ST-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HUFA76629D3ST D# NS-HUFA76629D3ST |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
2330 |
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