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HUFA75829D3S

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Numero di parte HUFA75829D3S
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Scheda dati

HUFA75829D3S Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche HUFA75829D3S

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1080pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs110 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica HUFA75829D3S

HUFA75829D3S Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that HUFA75829D3S is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# HUFA75829D3ST-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 18A TO252AA

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D# HUFA75829D3S-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 18A TO252AA

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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VBsemi Electronics Co Ltd

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VBsemi Electronics Co Ltd

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3260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NS-HUFA75829D3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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