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HUFA75639P3

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Numero di parte HUFA75639P3
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB
Scheda dati

HUFA75639P3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche HUFA75639P3

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C56A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 56A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica HUFA75639P3

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