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Numero di parte HUFA75637S3S
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Scheda dati

HUFA75637S3S Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche HUFA75637S3S

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C44A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs108nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 44A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica HUFA75637S3S

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  • 2. How does Heisener guarantee that HUFA75637S3S is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HUFA75637S3S price and inventory displayed accurate?
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 Fairchild Semiconductor Corporation

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