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HUFA75429D3ST

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Numero di parte HUFA75429D3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Scheda dati

HUFA75429D3ST Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche HUFA75429D3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1090pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica HUFA75429D3ST

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