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HUFA75329D3ST

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Numero di parte HUFA75329D3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Scheda dati

HUFA75329D3ST Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche HUFA75329D3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica HUFA75329D3ST

HUFA75329D3ST Packaging

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Packing
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