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HUFA75321S3ST

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Numero di parte HUFA75321S3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Scheda dati

HUFA75321S3ST Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche HUFA75321S3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica HUFA75321S3ST

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Fairchild Semiconductor Corporation

35A, 55V, 0.034ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
16000
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