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HUF75344P3_NL

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Numero di parte HUF75344P3_NL
Produttore Fairchild Semiconductor
Descrizione N-CHANNEL POWER MOSFET
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pacchetto -
ECAD
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Specifiche HUF75344P3_NL

ProduttoreFairchild Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieUltraFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs210 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)285W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

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Packing
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUF75344P3_NL?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of HUF75344P3_NL.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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