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HUF75309T3ST

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HUF75309T3ST

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Numero di parte HUF75309T3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Scheda dati

HUF75309T3ST Scheda dati

pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche HUF75309T3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds352pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica HUF75309T3ST

HUF75309T3ST Packaging

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Packing
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HUF75309T3ST FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HUF75309T3ST is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HUF75309T3ST price and inventory displayed accurate?
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