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HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

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Numero di parte HN1B01FU-GR,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Scheda dati
pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche HN1B01FU-GR,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max200mW, 210mW
Frequenza - Transizione150MHz
temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

HN1B01FU-GR,LF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

HN1B01FU-GR,LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HN1B01FU-GR,LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HN1B01FU-GR,LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HN1B01FU-GR,LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HN1B01FU-GR,LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HN1B01FU-GR,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HN1B01FU-GR,LF?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HN1B01FU-GR,LF

D# HN1B01FU-GR,LF

Toshiba America Electronic Components

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: HN1B01FU-GR,LF)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HN1B01FU-GR,LF(T

D# HN1B01FU-GR,LF(T

Toshiba America Electronic Components

Transistor BJT Array NPN/PNP 150mA 6-Pin SSOP (Alt: HN1B01FU-GR,LF(T)

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