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HGTG10N120BND

hot HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

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Numero di parte HGTG10N120BND
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 35A 298W TO247
Scheda dati

HGTG10N120BND Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche HGTG10N120BND

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo IGBTNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max298W
Cambiare energia850µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/165ns
Condizione di test960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)70ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

Scheda tecnica HGTG10N120BND

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Packing
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HGTG10N120BND FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HGTG10N120BND is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HGTG10N120BND. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HGTG10N120BND on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HGTG10N120BND products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HGTG10N120BND price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of HGTG10N120BND?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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D# E02:0323_00845961

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

0
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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: HGTG10N120BND)

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0
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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG10N120BND)

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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG10N120BND)

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20
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Fairchild Semiconductor Corporation

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316
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ON Semiconductor

IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

408
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ON Semiconductor

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4760
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ON Semiconductor

HGTG10N120BND Series 1200 V 35 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247

RoHS: Compliant
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5
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ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

14490
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ON Semiconductor

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1000
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Harris Semiconductor

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Fairchild Semiconductor Corporation

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36530
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ON Semiconductor

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

RoHS: Compliant
498
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HGTG10N120BND.

D# 16AC0004

ON Semiconductor

DC Collector Current:35A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:298W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:150°C, Product Range:-, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 450
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGTG10N120BND

D# NS-HGTG10N120BND

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

6717
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Harris Semiconductor

35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

16
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ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A, 1200V, N-Channel, TO-247

RoHS: Compliant
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OEM/CM ONLY

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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Fairchild Semiconductor Corporation

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

2968

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