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HGT1S2N120CN

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HGT1S2N120CN

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte HGT1S2N120CN
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Scheda dati

HGT1S2N120CN Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche HGT1S2N120CN

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie-
Tipo IGBTNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)13A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2.6A
Potenza - Max104W
Cambiare energia96µJ (on), 355µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello30nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/205ns
Condizione di test960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262

Scheda tecnica HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN Packaging

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Packing
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HGT1S2N120CN FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HGT1S2N120CN is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HGT1S2N120CN. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HGT1S2N120CN on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HGT1S2N120CN products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HGT1S2N120CN price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# HGT1S2N120CN

ON Semiconductor

PWR IGBT 2.6A 1200V NPT N-CHANNE TO-262AA - Bulk (Alt: HGT1S2N120CN)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 13 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA TO-262, 3 PIN

774
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-HGT1S2N120CN-FS-ND

Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL IGBT

87688
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S2N120CN

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

100841
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

84514
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S2N120CN

D# NS-HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

2440
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor Corporation

Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A, 1200V, N-Channel, TO-262AA

RoHS: Compliant
87688
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

109
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor Corporation

IN stock Immediate delivery

84499
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Intersil Corporation

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