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HGT1S10N120BNST

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HGT1S10N120BNST

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Numero di parte HGT1S10N120BNST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Scheda dati

HGT1S10N120BNST Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche HGT1S10N120BNST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo IGBTNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max298W
Cambiare energia320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/165ns
Condizione di test960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

Scheda tecnica HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

HGT1S10N120BNST FAQ

  • 1. How to order HGT1S10N120BNST on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that HGT1S10N120BNST is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HGT1S10N120BNST. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HGT1S10N120BNST on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HGT1S10N120BNST products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HGT1S10N120BNST price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of HGT1S10N120BNST fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of HGT1S10N120BNST?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the HGT1S10N120BNST we delivered, we will accept the replacement or return of the HGT1S10N120BNST only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of HGT1S10N120BNST.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as HGT1S10N120BNST pin diagram, HGT1S10N120BNST datasheet?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# V72:2272_06305664

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# HGT1S10N120BNST

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: HGT1S10N120BNST)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# HGT1S10N120BNST

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: HGT1S10N120BNST)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# HGT1S10N120BNST

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: HGT1S10N120BNST)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 Fairchild Semiconductor Corporation

- Tape and Reel

 3840
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 ON Semiconductor

TO-263AB-3 IGBTs RoHS

 1432
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# HGT1S10N120BNSTCT-ND

 ON Semiconductor

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

 563
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 Fairchild Semiconductor Corporation

In stock shipping within 2days

 1699
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# 2454176RL

 ON Semiconductor

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 ON Semiconductor

HGT1S10N120BN Series 1200 V 35 A 298 W SMT NPT N-Channel IGBT - TO-263AB

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2HGT1S10N120BNST

 ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 2835

HGT1S10N120BNST

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 13603
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# C462131

 ON Semiconductor

1432
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

 1699
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# 29H0101

 ON Semiconductor

IGBT Single Transistor, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# NS-HGT1S10N120BNST

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

 3369
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# 8076660P

 ON Semiconductor

ON Semiconductor HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount, RL

Min Qty: 2
Container: Reel
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

 12861
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 Fairchild Semiconductor Corporation

IN stock Immediate delivery

 1714
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

 Avago Technologies

shipping today

 15
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# 44702994

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

HGT1S10N120BNST

D# 2454176RL

 ON Semiconductor

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
 0

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