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HAT2096H-EL-E

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HAT2096H-EL-E

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Numero di parte HAT2096H-EL-E
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Scheda dati

HAT2096H-EL-E Scheda dati

pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche HAT2096H-EL-E

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica HAT2096H-EL-E

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HAT2096H-EL-E FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HAT2096H-EL-E is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HAT2096H-EL-E. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HAT2096H-EL-E on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HAT2096H-EL-E products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HAT2096H-EL-E price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HAT2096H-EL-E?
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 40A I(D), 30V, 0.01OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

1991
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