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GWM160-0055P3

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Numero di parte GWM160-0055P3
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Scheda dati

GWM160-0055P3 Scheda dati

pacchetto ISOPLUS-DIL?
ECAD
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Specifiche GWM160-0055P3

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoISOPLUS-DIL?
ECAD
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C160A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoISOPLUS-DIL?
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL?

Scheda tecnica GWM160-0055P3

GWM160-0055P3 Packaging

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Sealing
Packing
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GWM160-0055P3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GWM160-0055P3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GWM160-0055P3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GWM160-0055P3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GWM160-0055P3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GWM160-0055P3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GWM160-0055P3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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