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GT8G133(TE12L,Q)

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Numero di parte GT8G133(TE12L,Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Scheda dati

GT8G133(TE12L,Q) Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche GT8G133(TE12L,Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo IGBT-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Corrente - Collector (Ic) (Max)-
Corrente - Collector Pulsed (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 4V, 150A
Potenza - Max600mW
Cambiare energia-
Tipo di inputStandard
Carica del cancello-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C1.7µs/2µs
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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GT8G133(TE12L,Q) Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that GT8G133(TE12L,Q) is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# GT8G133(TE12L,Q)-ND

Toshiba America Electronic Components

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

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