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GT10J312(Q)

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Numero di parte GT10J312(Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Scheda dati

GT10J312(Q) Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche GT10J312(Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo IGBT-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)10A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max60W
Cambiare energia-
Tipo di inputStandard
Carica del cancello-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C400ns/400ns
Condizione di test300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)200ns
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SM

Scheda tecnica GT10J312(Q)

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GT10J312(Q) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GT10J312(Q) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GT10J312(Q). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GT10J312(Q) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GT10J312(Q) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GT10J312(Q) price and inventory displayed accurate?
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