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GPA030A135MN-FDR

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Numero di parte GPA030A135MN-FDR
Produttore Global Power Technologies Group
Descrizione IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Scheda dati

GPA030A135MN-FDR Scheda dati

pacchetto TO-3
ECAD
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Specifiche GPA030A135MN-FDR

ProduttoreGlobal Power Technologies Group
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-3
ECAD
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1350V
Corrente - Collector (Ic) (Max)60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Potenza - Max329W
Cambiare energia4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello300nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/145ns
Condizione di test600V, 30A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)450ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN

Scheda tecnica GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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GPA030A135MN-FDR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GPA030A135MN-FDR is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GPA030A135MN-FDR. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GPA030A135MN-FDR on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GPA030A135MN-FDR products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GPA030A135MN-FDR price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GPA030A135MN-FDR?
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