Name: GP1M003A050HG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M003A050HG
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

GP1M003A050HG

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Numero di parte	GP1M003A050HG
Produttore	Global Power Technologies Group
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
Scheda dati	GP1M003A050HG Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	3.984 piece(s)
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Specifiche GP1M003A050HG

Produttore	Global Power Technologies Group
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	395pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica GP1M003A050HG

GP1M003A050HG Packaging

GP1M003A050HG FAQ

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3. Are the GP1M003A050HG price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the GP1M003A050HG we delivered, we will accept the replacement or return of the GP1M003A050HG only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GP1M003A050HG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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