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GB100XCP12-227

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Numero di parte GB100XCP12-227
Produttore GeneSiC Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 100A SOT-227
Scheda dati
pacchetto SOT-227-4
ECAD
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Specifiche GB100XCP12-227

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchettoSOT-227-4
ECAD
Serie-
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)100A
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce8.55nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

GB100XCP12-227 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GB100XCP12-227 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GB100XCP12-227 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GB100XCP12-227?
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IGBT 1200V 100A SOT-227

29
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GeneSic Semiconductor Inc

IGBT MODULE 1200V 100A SOT227

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RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Bulk
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D# NS-GB100XCP12-227

GeneSiC Semiconductor

OEM/CM ONLY

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