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GAN3R2-100CBEAZ

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Numero di parte GAN3R2-100CBEAZ
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche GAN3R2-100CBEAZ

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 50 V
Vgs (massimo)+6V, -4V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)394W
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 5V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WLCSP (3.5x2.13)
Pacchetto / caso8-XFBGA, WLCSP

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Sealing
Packing
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  • 3. Are the GAN3R2-100CBEAZ price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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