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GA05JT12-247

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Numero di parte GA05JT12-247
Produttore GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 1200V 5A
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche GA05JT12-247

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FET-
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 5A
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AB
Pacchetto / casoTO-247-3

GA05JT12-247 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

GA05JT12-247 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA05JT12-247 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA05JT12-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA05JT12-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA05JT12-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 5A 1.2KV

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TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

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GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V180m? TO-247-3

RoHS: Compliant
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D# GS0000000000002

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