Name: FQPF55N10
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FQPF55N10
Availability: InStock
Rating: 5 (106 reviews)

FQPF55N10

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Numero di parte	FQPF55N10
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 34.2A TO-220F
Scheda dati	FQPF55N10 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
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Specifiche FQPF55N10

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie	QFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2730pF @ 25V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 17.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220F
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

Scheda tecnica FQPF55N10

FQPF55N10 Packaging

FQPF55N10 FAQ

1. How to order FQPF55N10 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that FQPF55N10 is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FQPF55N10. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FQPF55N10 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FQPF55N10 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the FQPF55N10 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of FQPF55N10 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of FQPF55N10?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FQPF55N10 we delivered, we will accept the replacement or return of the FQPF55N10 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FQPF55N10.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as FQPF55N10 pin diagram, FQPF55N10 datasheet?

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Power Field-Effect Transistor, 34.2A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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D# FQPF55N10-ND

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