| Numero di parte | FQI19N20CTU |
|---|---|
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
|
| A magazzino | 5.024 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 7 - nov 12 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
|
| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
|
SIT8208AC-2F-18E-19.200000T | SiTime, -20 TO 70C, 3225, 10PPM, 1.8V, 1, -, QFET? | Visualizza |
|
|
0805Y5001P40HQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 0805, -, QFET? | Visualizza |
|
SY100EL52ZC | Microchip Technology, IC D-TYPE POS/NEG 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), QFET? | Visualizza |
 
|
MAX3295AUT+T | Maxim Integrated, IC DRIVER RS485/422 SOT23-6, SOT-23-6, QFET? | Visualizza |
|
EXB-2HV243JV | Panasonic Electronic Components, RES ARRAY 8 RES 24K OHM 1506, 1506, Convex, Long Side Terminals, QFET? | Visualizza |
|
AC0201JR-07240RL | Yageo, RES SMD 240 OHM 5% 1/20W 0201, 0201 (0603 Metric), QFET? | Visualizza |
|
|
TE1200B2R7J | TE Connectivity Passive Product, RES CHAS MNT 2.7 OHM 5% 1200W, Radial, Tubular, QFET? | Visualizza |
|
MPC1040LR45C | KEMET, FIXED IND 450NH 25A 1.1 MOHM SMD, Nonstandard, QFET? | Visualizza |
|
|
M80-5500622 | Harwin Inc., 3+3 WAY M HORZ 3MM TAIL WOJS, -, QFET? | Visualizza |
|
|
FW-10-02-L-D-315-165 | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, QFET? | Visualizza |
|
|
PHEC80P-SC11-X2LF | Amphenol FCI, CONN D-SUB, -, QFET? | Visualizza |
|
|
51712-021LF | Amphenol FCI, PWRBLADE VERT HDR, -, QFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI19N20CTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI19N20CTU D# FQI19N20CTU-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI19N20CTU D# NS-FQI19N20CTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
1369 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI19N20CTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
shipping today |
45635 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa FQI19N20CTU?
+86-755-83210559 ext. 809
Scansiona per visualizzare questa pagina
