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FQD5N20TF

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Numero di parte FQD5N20TF
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Scheda dati

FQD5N20TF Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FQD5N20TF

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FQD5N20TF

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Packing
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FQD5N20TF FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FQD5N20TF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FQD5N20TF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FQD5N20TF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Fairchild Semiconductor Corporation

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