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FQD1N80TF

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Numero di parte FQD1N80TF
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Scheda dati

FQD1N80TF Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FQD1N80TF

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds195pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FQD1N80TF

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Packing
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FQD1N80TF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD1N80TF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FQD1N80TF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FQD1N80TF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FQD1N80TF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FQD1N80TF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQD1N80TF?
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    (1)Inform us within 90 days
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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