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FQD19N10TM_F080

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FQD19N10TM_F080

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Numero di parte FQD19N10TM_F080
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Scheda dati

FQD19N10TM_F080 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FQD19N10TM_F080

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 25V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 7.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FQD19N10TM_F080

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD19N10TM_F080 is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

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