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FQD13N10LTM_NBEL001

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FQD13N10LTM_NBEL001

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Numero di parte FQD13N10LTM_NBEL001
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Scheda dati

FQD13N10LTM_NBEL001 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FQD13N10LTM_NBEL001

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FQD13N10LTM_NBEL001

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD13N10LTM_NBEL001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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