Name: FQD12N20LTM-F085P
Brand: onsemi
SKU: FQD12N20LTM-F085P
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

FQD12N20LTM-F085P

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Numero di parte	FQD12N20LTM-F085P
Produttore	onsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	18.213 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche FQD12N20LTM-F085P

Produttore	onsemi
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	QFET®
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1080 pF @ 25 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

FQD12N20LTM-F085P Packaging

FQD12N20LTM-F085P FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FQD12N20LTM-F085P we delivered, we will accept the replacement or return of the FQD12N20LTM-F085P only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FQD12N20LTM-F085P.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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