* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | FQD10N20CTM_F080 |
|---|---|
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 3.424 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 25 - nov 30 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
|
1812Y5000224KXR | Knowles Syfer, CAP CER 0.22UF 500V X7R 1812, 1812 (4532 Metric), QFET? | Visualizza |
|
UPM1V122MHD | Nichicon, CAP ALUM 1200UF 20% 35V RADIAL, Radial, Can, QFET? | Visualizza |
|
|
LMLK1-1RLS4-30049-1-V | Sensata Technologies/Airpax, CIR BRKR MAG-HYDR LEVER, -, QFET? | Visualizza |
|
RCP2512B510RGTP | Vishay Dale, RES SMD 510 OHM 2% 22W 2512, 2512 (6432 Metric), QFET? | Visualizza |
|
RCWL2512R100JNEA | Vishay Dale, RES SMD 0.1 OHM 5% 1W 2512, 2512 (6432 Metric), QFET? | Visualizza |
|
FOD852W | Fairchild/ON Semiconductor, OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP, 4-DIP (0.400", 10.16mm), QFET? | Visualizza |
|
VLP5610T-2R7M1R0 | TDK Corporation, FIXED IND 2.7UH 1.05A 170 MOHM, Nonstandard, QFET? | Visualizza |
|
|
BCS-147-L-D-HE-023 | Samtec Inc., BOX CONNECTOR SOCKET STRIP, -, QFET? | Visualizza |
|
|
FTSH-125-02-L-DV-EP-A-P-TR | Samtec Inc., .050'' X .050 TERMINAL STRIP, -, QFET? | Visualizza |
|
|
TV07DT-15-18BD | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSG FMALE 18POS PNL MT, -, QFET? | Visualizza |
|
|
MMB23-0441Q1 | Vishay Dale, CONN RACK/PANEL 44POS 5A, -, QFET? | Visualizza |
|
|
MI-J74-MZ-F4 | Vicor Corporation, CONVERT DC/DC 165VIN 48VOUT 25W, 9-DIP Module, QFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQD10N20CTM_F080 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQD10N20CTM_F080 D# FQD10N20CTM_F080-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQD10N20CTM_F080 D# NS-FQD10N20CTM_F080 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
8913 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQD10N20CTM_F080 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
shipping today |
58693 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa FQD10N20CTM_F080?
+86-755-83210559 ext. 809
Scansiona per visualizzare questa pagina
