| Numero di parte | FQB630TM |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.480 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB630TM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB630TM D# FQB630TM-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB630TM |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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5260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB630TM D# NS-FQB630TM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
1170 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB630TM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
shipping today |
45635 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB630TM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
RFQ |
2702 |
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