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FQB4N80TM

hot FQB4N80TM

FQB4N80TM

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Numero di parte FQB4N80TM
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Scheda dati

FQB4N80TM Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FQB4N80TM

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.13W (Ta), 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FQB4N80TM

FQB4N80TM Packaging

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Packing
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FQB4N80TM FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQB4N80TM is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FQB4N80TM. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FQB4N80TM on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FQB4N80TM products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FQB4N80TM price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of FQB4N80TM fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQB4N80TM?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FQB4N80TM we delivered, we will accept the replacement or return of the FQB4N80TM only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FQB4N80TM.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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D# E02:0323_00847315

 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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D# FQB4N80TM

 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Bulk (Alt: FQB4N80TM)

RoHS: Compliant
 0
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RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# FQB4N80TM

 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB4N80TM)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 Fairchild Semiconductor Corporation

1899
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 Fairchild Semiconductor Corporation

Fairchild Semiconductor FQB4N80TM

 800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 ON Semiconductor

N-Channel 800V 3.9A 5V @ 250uA 3.6ohms @ 1.95A,10V 3.13W TO-263-3 MOSFET RoHS

 5
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# FQB4N80TMTR-ND

 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

 34062
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FQB4N80TM

D# 2453890

 ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-263AB-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 ON Semiconductor

N-Channel 800 V 3.6 Ohm 25 nC Surface Mount Mosfet - D2PAK-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
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FQB4N80TM

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1840
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# C467464

 ON Semiconductor

5
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

 1381
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# 512-FQB4N80TM

 ON Semiconductor

MOSFET 800V N-Channel QFET

RoHS: Compliant
 1168
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# XSKDRABS0105576

 ON SEMICONDUCTOR

TO-263 2L (D2PAK)N-CH/800V/3.9A/3.6OHM

 800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# 34C0406

 ON Semiconductor

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,3.9A I(D),TO-263AB ROHS COMPLIANT: YES

RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# NS-FQB4N80TM

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

 1239
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

D# 6710908

 ON Semiconductor

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FQB4N80TM, EA

Min Qty: 1
Container: Bulk
 728
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 ON Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 3.9A, 800V, 3.6ohm, N-Channel, MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
 4390
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FQB4N80TM

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

 2416
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Fairchild Semiconductor Corporation

IN stock Immediate delivery

 1396
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D# 29055410

 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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