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FQB32N20CTM

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Numero di parte FQB32N20CTM
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
Scheda dati

FQB32N20CTM Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FQB32N20CTM

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2220pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.13W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs82 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FQB32N20CTM

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQB32N20CTM is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQB32N20CTM price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQB32N20CTM?
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