| Numero di parte | FQAF22P10 |
|---|---|
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SC-94 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.824 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SC-94 |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 8.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
| Pacchetto / caso | SC-94 |
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SIT9121AI-2BF-33S25.000000Y | SiTime, OSC MEMS 25.0000MHZ LVDS SMD, 6-SMD, No Lead, QFET? | Visualizza |
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RS1D/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, DO-214AC, SMA, QFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQAF22P10 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQAF22P10 D# FQAF22P10-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQAF22P10 D# NS-FQAF22P10 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
8462 |
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