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FMM110-015X2F

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FMM110-015X2F

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Numero di parte FMM110-015X2F
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Scheda dati

FMM110-015X2F Scheda dati

pacchetto i4-Pac?-5
ECAD
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Specifiche FMM110-015X2F

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoi4-Pac?-5
ECAD
SerieGigaMOS?, HiPerFET?, TrenchT2?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C53A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8600pF @ 25V
Potenza - Max180W
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoi4-Pac?-5
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC?

Scheda tecnica FMM110-015X2F

FMM110-015X2F Packaging

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Sealing
Packing
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D# V36:1790_15876862

IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH Si 150V 53A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAC

RoHS: Compliant
0
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IXYS Corporation

MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

0
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D# FMM110-015X2F-ND

IXYS Corporation

MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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IXYS Corporation

150V 53A 20 mOhms N-ch ISOPLUS i4-PAC

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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D# NS-FMM110-015X2F

IXYS Corporation

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