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FK4B01110LE

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Numero di parte FK4B01110LE
Produttore Nuvoton Technology Corporation
Descrizione SINGLE NCH MOSFET 12V, 2.3A 57MO
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 3.000 piece(s)
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Specifiche FK4B01110LE

ProduttoreNuvoton Technology Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.55 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds274 pF @ 10 V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreALGA004-W-0606-RA01
Pacchetto / caso4-XFLGA

FK4B01110LE Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FK4B01110LE FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FK4B01110LE is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FK4B01110LE. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FK4B01110LE on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FK4B01110LE products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FK4B01110LE price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FK4B01110LE?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FK4B01110LE.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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