Name: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
SKU: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (156 reviews)

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	FF23MR12W1M1B11BOMA1
Produttore	Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Descrizione	MOSFET MODULE HALF 1200V 50A
Scheda dati	FF23MR12W1M1B11BOMA1 Scheda dati
pacchetto	Module
ECAD
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Specifiche FF23MR12W1M1B11BOMA1

Produttore	Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	Module
ECAD
Serie	CoolSiC?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 800V
Potenza - Max	20mW
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module

Scheda tecnica FF23MR12W1M1B11BOMA1

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Packaging

FF23MR12W1M1B11BOMA1 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

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Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# E02:0323_11639611

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

IGBTs - Bulk (Alt: FF23MR12W1M1B11BOMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# SP001602224

Infineon Technologies AG

IGBTs (Alt: SP001602224)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# FF23MR12W1M1B11BOMA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

106

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 2771413

Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel 1200 V 23 mOhm CoolSiC EasyDual PressFIT/NTC Mosfet Module

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

153

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Descrizione

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FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 726-FF23MR12W1M1B11

Infineon Technologies AG

Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 24AC8570

Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, On Resistance Rds(on):0.023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-, Threshold Voltage Vgs:4.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

LOW POWER EASY

RoHS: Compliant

304

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

182

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Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 53811056

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

Numero di parte

Produttore

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Azione

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 2771413

Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

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