* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | FF200R12KT4HOSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
| Descrizione | IGBT MODULE 1200V 200A |
| Scheda dati | |
| pacchetto | Module |
| ECAD |
|
| A magazzino | 3.840 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | lug 3 - lug 8 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli |
| pacchetto | Module |
| ECAD |
|
| Serie | C |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 320A |
| Potenza - Max | 1100W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
|
SIT8008BIL83-33E-25.000000T | SiTime, OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, C | Visualizza |
|
0805J0500821GCR | Knowles Syfer, CAP CER 820PF 50V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), C | Visualizza |
|
|
C430C432G2G5TA | KEMET, CAP CER 4300PF 200V C0G AXIAL, Axial, C | Visualizza |
|
885012009002 | Wurth Electronics Inc., CAP CER 1000PF 25V C0G/NP0 1210, 1210 (3225 Metric), C | Visualizza |
|
BZG05C10-HE3-TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE ZENER 10V 1.25W DO214AC, DO-214AC, SMA, C | Visualizza |
|
AMCA52-2R350G-S1F-T4 | Abracon LLC, ANTENNA CHIP DIELECTRIC 2350MHZ, -, C | Visualizza |
|
RT0402DRD0746K4L | Yageo, RES SMD 46.4KOHM 0.5% 1/16W 0402, 0402 (1005 Metric), C | Visualizza |
|
|
RLSR50 | Ohmite, POT 0.5 OHM 150W WIREWOUND LIN, -, C | Visualizza |
 
|
6N139M | Fairchild/ON Semiconductor, OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8DIP, 8-DIP (0.300", 7.62mm), C | Visualizza |
|
|
DTS26F23-53PC | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG 53POS STRGHT W/PINS, -, C | Visualizza |
|
|
MS3475L16-8SW | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG 8POS STRAIGHT SCKT, -, C | Visualizza |
|
|
SI5346A-D10433-GM | Silicon Labs, IC CLOCK MULTIPLIER JITTER ATT, -, C | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# E02:0323_08165823 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# FF200R12KT4HOSA1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT MODULE 1200V 200A - Bulk (Alt: FF200R12KT4HOSA1) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# SP000370618 |
Infineon Technologies AG |
IGBT MODULE 1200V 200A (Alt: SP000370618) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# C1S322000204793 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW 7-Pin 62MM-1 Tray RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
|
10 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# FF200R12KT4HOSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 320A 1100W |
61 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# 2377249 |
Infineon Technologies AG |
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 |
Infineon Technologies AG |
FF200R12KT4 Series 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount IGBT Module RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
396 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4 D# 641-FF200R12KT4 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A RoHS: Compliant
|
355 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# 27X9041 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# 7613754 |
Infineon Technologies AG |
Infineon FF200R12KT4HOSA1 Series IGBT Module, 320 A 1200 V, 3-Pin 62MM Module, Panel Mount, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
|
68 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 |
Infineon Technologies AG |
FF200R12 - IGBT Module RoHS: Compliant
|
10 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES INDUSTRIAL POWER AND CONTROL |
OEM/CM ONLY |
159 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# 53370629 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FF200R12KT4HOSA1 D# 2377249 |
Infineon Technologies AG |
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa FF200R12KT4HOSA1?
+86-755-83210559-836
Scansiona per visualizzare questa pagina
