Name: FF150R12RT4
Brand: Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
SKU: FF150R12RT4
Availability: InStock
Rating: 5 (153 reviews)

FF150R12RT4

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Numero di parte	FF150R12RT4
Produttore	Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Descrizione	IGBT MODULE 1200V 150A
Scheda dati	FF150R12RT4 Scheda dati
pacchetto	Module
ECAD
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Specifiche FF150R12RT4

Produttore	Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	Module
ECAD
Serie	C
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	150A
Potenza - Max	790W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	-
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module

Scheda tecnica FF150R12RT4

FF150R12RT4 Packaging

FF150R12RT4 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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FF150R12RT4HOSA1

D# V36:1790_18205852

Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray

RoHS: Compliant

Numero di parte

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FF150R12RT4HOSA1

D# FF150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies AG

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 150A ±20V Screw Tray - Trays (Alt: FF150R12RT4HOSA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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FF150R12RT4

Infineon Technologies AG

SP000624908_MEDIUM POWER 34MM_TY_RO

Numero di parte

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FF150R12RT4HOSA1

D# FF150R12RT4HOSA1-ND

Infineon Technologies AG

IGBT MOD 1200V 150A 790W

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FF150R12RT4HOSA1

D# 2726121

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IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 150A

RoHS: Compliant

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FF150R12RT4HOSA1

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FF150R12RT4 Series 1200 V 150 A 790 W Surface Mount IGBT Module

RoHS: Compliant

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FF150R12RT4

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FF150R12RT4HOSA1

D# 13AC8637

Infineon Technologies AG

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 150A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:150A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V, Power Dissipation Pd:790W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Transistor Case RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

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FF150R12RT4HOSA1

D# 1116082

Infineon Technologies AG

Infineon FF150R12RT4HOSA1 Series IGBT Module, 150 A 1200 V AG-34MM-1, Panel Mount, EA

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34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

300

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IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 150A

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