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FDS5170N7

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Numero di parte FDS5170N7
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
Scheda dati

FDS5170N7 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche FDS5170N7

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2889pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 10.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica FDS5170N7

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FDS5170N7 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDS5170N7 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDS5170N7 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDS5170N7?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FDS5170N7 we delivered, we will accept the replacement or return of the FDS5170N7 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
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