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FDS5170N7

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Numero di parte FDS5170N7
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
Scheda dati

FDS5170N7 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche FDS5170N7

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2889pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 10.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica FDS5170N7

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FDS5170N7 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDS5170N7 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDS5170N7 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDS5170N7?
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