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Numero di parte FDP8878
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
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pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche FDP8878

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1235pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

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