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FDP8870_F085

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Numero di parte FDP8870_F085
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
Scheda dati

FDP8870_F085 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche FDP8870_F085

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Ta), 156A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs132nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica FDP8870_F085

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FDP8870_F085 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDP8870_F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDP8870_F085 price and inventory displayed accurate?
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Bulk (Alt: FDP8870-F085)

RoHS: Compliant
0
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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 30V 156A TO-220

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3

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VBsemi Electronics Co Ltd

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ON Semiconductor

MOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH

RoHS: Compliant
457
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 19A, 30V, 0.0046ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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