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FDP047AN08A0_F102

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Numero di parte FDP047AN08A0_F102
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche FDP047AN08A0_F102

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

FDP047AN08A0_F102 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDP047AN08A0_F102 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Fairchild Semiconductor Corporation

TO-220AB, SINGLE, N-CH, 75V, 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET - Rail/Tube

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MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

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