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FDP036N10A

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Numero di parte FDP036N10A
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Scheda dati

FDP036N10A Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche FDP036N10A

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7295pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica FDP036N10A

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FDP036N10A FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDP036N10A is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FDP036N10A. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FDP036N10A on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FDP036N10A products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FDP036N10A price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDP036N10A?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FDP036N10A)

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Trans MOSFET N-CH 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: FDP036N10A)

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N CH MOSFET POWERTRENCH 100V 214A TO-220AB

8
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Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

RoHS: Compliant
0
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FDP036N10A

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MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

1473
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MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 333W

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PT5 NCH 100V 3.6 MOHM

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MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

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MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 333W ROHS COMPLIANT: YES

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N-Channel MOSFET, 214 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor FDP036N10A, RL

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Power Field-Effect Transistor, 120A, 100V, 0.0036ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB

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