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FDMS3662

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Numero di parte FDMS3662
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
Scheda dati

FDMS3662 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche FDMS3662

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.9A (Ta), 49A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4620pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.8 mOhm @ 8.9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePower56
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica FDMS3662

FDMS3662 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FDMS3662 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDMS3662 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FDMS3662. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FDMS3662 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FDMS3662 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FDMS3662 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDMS3662?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R

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MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN

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75V, 49A, 14.5M OHM N-CH POWER TRENCH MOSFET

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ON Semiconductor

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

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8.9 A, 100 V, 0.0148 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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ON Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 8.9A, 100V, 0.0148ohm, N-Channel, MOSFET

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