Name: FDML7610S
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDML7610S
Availability: InStock
Rating: 5 (104 reviews)

FDML7610S

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	FDML7610S
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
Scheda dati	FDML7610S Scheda dati
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
A magazzino	72.312 piece(s)
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Specifiche FDML7610S

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
Serie	PowerTrench?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1750pF @ 15V
Potenza - Max	800mW, 900mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-MLP (3x4.5)

Scheda tecnica FDML7610S

FDML7610S Packaging

FDML7610S FAQ

1. How to order FDML7610S on Heisener?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

D# V36:1790_06338002

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin MLP EP T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

D# FDML7610S

ON Semiconductor

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 40A/60A 8-Pin MLP T/R - Bulk (Alt: FDML7610S)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

D# FDML7610S

ON Semiconductor

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 40A/60A 8-Pin MLP T/R (Alt: FDML7610S)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

2818

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

DUAL N CHANNEL MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A, MLP3X4.5, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:28A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0075ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

5248

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

D# FDML7610SCT-ND

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8MLP

5955

Numero di parte

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FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

In stock shipping within 2days

1346

Numero di parte

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Descrizione

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FDML7610S

D# 3616881

ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 30V, 28A, 150DEG C, 2.2W

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: Reel

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FDML7610S

ON SEMICONDUCTOR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3450

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FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

35250

Numero di parte

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Descrizione

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FDML7610S

D# 512-FDML7610S

ON Semiconductor

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

RoHS: Compliant

2669

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

D# 92R5544

ON Semiconductor

DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A, MLP3X4.5, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:30A, On Resistance Rds(on):0.006ohm, Transistor Mounting:Surface Mount RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

D# NS-FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

12018

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 12A, 30V, 0.0075ohm, 2-Element, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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Azione

FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

3834

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FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

IN stock Immediate delivery

35235

Numero di parte

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Descrizione

Azione

FDML7610S

mfr

RFQ

6943

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

FDML7610S

Fairchild Semiconductor Corporation

Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 mΩ N-Channel: 30 V, 28 A, 4.2 mΩ

3000

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