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FDD8870_F085

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Numero di parte FDD8870_F085
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 21A DPAK
Scheda dati

FDD8870_F085 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FDD8870_F085

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5160pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FDD8870_F085

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDD8870_F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDD8870_F085 price and inventory displayed accurate?
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R - Bulk (Alt: FDD8870-F085)

RoHS: Compliant
0
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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 30V 21A DPAK

0
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D# FDD8870-F085TR-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 21A TO252AA

0
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Fairchild Semiconductor Corporation

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ON Semiconductor

FDD8870 - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mOhm

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