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Numero di parte FDD86113LZ
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Scheda dati

FDD86113LZ Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FDD86113LZ

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs104 mOhm @ 4.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FDD86113LZ

FDD86113LZ Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDD86113LZ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FDD86113LZ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FDD86113LZ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FDD86113LZ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FDD86113LZ price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Bulk (Alt: FDD86113LZ)

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Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FDD86113LZ)

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 Fairchild Semiconductor Corporation

1498
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Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

 2500
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 Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

RoHS: Compliant
 0
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 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK

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 ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252

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 ON Semiconductor

N-Channel 100 V 104 mOhm Shielded Gate Power Trench Mosfet - DPAK-3

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MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

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 4644
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D# 07AH3900

 ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:5.5A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.087ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
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MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252

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